容量翻倍耗电减少40%!Intel力拼2027年打造HBM内存替代方案

内容摘要快科技6月2日消息,据媒体报道,Intel将与软银合作,共同开发一种可取代HBM内存的堆叠式DRAM解决方案。双方成立了一家名为 Saimemory 的新公司,将基于英特尔的技术和东京大学等日本学术界的专利,共同打造原型产品。该合作的目标是

快科技6月2日消息,据媒体报道,Intel将与软银合作,共同开发一种可取代HBM内存的堆叠式DRAM解决方案。

双方成立了一家名为 Saimemory 的新公司,将基于英特尔的技术和东京大学等日本学术界的专利,共同打造原型产品。

该合作的目标是在2027年前完成原型设计,并评估量产可行性,力争在2030年前实现商业化。

目前大多数AI处理器都使用HBM芯片,这类芯片非常适合暂存处理的大量数据,但由于其制造工艺复杂、成本高昂,且容易过热、耗电量大,限制了其广泛应用。

双方计划通过堆叠DRAM芯片并优化连接方式,新方案有望实现至少大一倍的存储容量,同时将耗电量减少40%,并大幅降低成本。

软银将成为新公司的最大股东,出资约30亿日元,公司计划初期研发经费约150亿日元,如果这项技术成功,软银希望优先获得供应权。

由于AI芯片需求旺盛,HBM供应持续紧张,Saimemory希望通过这种替代产品,抢占至少日本数据中心的市场份额,此外这也是日本20多年来首次尝试重返内存芯片主要供应国之列。

容量翻倍耗电减少40%!Intel力拼2027年打造HBM内存替代方案

 
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